0551-88510973
2.如权利要求1所述的一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其特征在于，在步骤S2
中，在所述玻璃基板的表面设置掩膜板前，先对所述玻璃基板的表面进行预处理。
3.如权利要求2所述的一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其特征在于，所述预处
4.如权利要求1所述的一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其特征在于，在步骤S3
5.如权利要求1所述的一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其特征在于，所述掩膜
6.如权利要求1所述的一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其特征在于，在步骤S4
7.如权利要求6所述的一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其特征在于，所述纳米
8.如权利要求1所述的一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法，其特征在于，所述孔洞
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程
序，当所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1‑8中任意一项所述的玻璃基板的
自摩尔定律提出以来，集成电路遵循着摩尔定律飞速发展，即当价格不变时，集成
电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18‑24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。集成
电路的尺寸已经可以缩小到纳米级别，并逐渐接近其物理极限时，缩小特征尺寸的方法已
经无法进一步提高集成电路的性能和功能。但是微电子市场的需求仍在持续增长，集成电
直方向上进行芯片的堆叠和集成，在不需要进一步缩小器件特征尺寸的条件下，提高了电
路的集成度。三维集成技术可以集成多种材料、多种工艺及多种功能的芯片于一体，明显地
改进电路的电子性能。基于TSV垂直互连的叠层封装方式以其短距离互连和高密度集成的
现有的激光辅助蚀刻玻璃通孔(TGV)方法是将经过皮秒激光改性的玻璃浸泡于蚀
刻液中进行蚀刻。然而该方法在蚀刻过程中会使玻璃基板整体减薄，导致玻璃整体厚度不
体减薄，导致玻璃整体厚度不可控的问题，本发明提供了一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀
对所述玻璃基板进行蚀刻，可以有效防止蚀刻过程中玻璃基板整体减薄，解决了现有激光
辅助蚀刻玻璃通孔方法在蚀刻过程中会使玻璃基板整体减薄，导致玻璃整体厚度不可控的
进一步地，在步骤S2中，在所述玻璃基板的表面设置掩膜板前，先对所述玻璃基板
而是将重点放在示出实施例的原理上。在不同的视图中，相同的附图标记指定对应的部分。
图2是本发明一实施例中一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法中步骤S2的效果
图3是本发明一实施例中一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法中步骤S3的效果
图4是本发明一实施例中一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法中步骤S4的效果
图5是本发明一实施例中一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法中步骤S5的效果
图6是本发明一实施例中一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法中步骤S6的效果
为了使得本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合其实施例，对本
发明进行进一步详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本发明，
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上
或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接
到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、
技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具
体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个
本发明中所述“第一”、“第二”不代表具体的数量及顺序，仅仅是用于名称的区分。
优选地，在所述玻璃基板的表面设置掩膜板2前，先对所述玻璃基板的表面进行预
处理，以保证玻璃基板表面的清洁。具体而言，所述预处理的方法包括酸洗、碱洗以及干燥。
由于部分纳米金属4沉积在所述掩膜板2的孔洞3中，其余纳米金属4沉积在掩膜板
2的表面并不会影响蚀刻的进行，故而将蚀刻液倒入所述掩膜板2中，可以对所述玻璃基板
即是说，所述玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法通过在所述掩膜板2的孔洞3中沉
积一层纳米金属4，并将蚀刻液倒入所述掩膜板2中以对所述玻璃基板进行蚀刻，可以有效
防止蚀刻过程中玻璃基板整体减薄，解决了现有激光辅助蚀刻玻璃通孔方法在蚀刻过程中
优选地，在所述玻璃基板的表面设置掩膜板2前，先对所述玻璃基板的表面进行预
处理，以保证玻璃基板表面的清洁。具体而言，所述预处理的方法包括酸洗、碱洗以及干燥。
优选地，所述掩膜板2由具有吸收存储蚀刻液且具有耐腐蚀功能的材料制成。具体
S3，对所述掩膜板2进行开孔以获取预设图案。获取预设图案后，清洗开孔过程中
具体而言，可以将蚀刻液倒入所述掩膜板2中以对所述玻璃基板进行蚀刻。在将蚀
刻液倒入所述掩膜板2后，蚀刻液将沿着掩膜板2润湿纳米金属4层以对玻璃基板进行选择
性蚀刻。当然，也可以将玻璃基板以及沉积一层纳米金属4后的掩膜板2沉浸在蚀刻液中。
由于部分纳米金属4沉积在所述掩膜板2的孔洞3中，其余纳米金属4沉积在掩膜板
2的表面并不会影响蚀刻的进行，故而将蚀刻液倒入所述掩膜板2中，可以对所述玻璃基板
即是说，所述玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法通过在所述掩膜板2的孔洞3中沉
积一层纳米金属4，并将蚀刻液倒入所述掩膜板2中以对所述玻璃基板进行蚀刻，可以有效
防止蚀刻过程中玻璃基板整体减薄，解决了现有激光辅助蚀刻玻璃通孔方法在蚀刻过程中
在本实施例中，在步骤S3中，所述开孔的方法包括激光开孔以及机械钻孔。在步骤
S4中，所述沉积的方法包括但不限于磁控溅射以及涂覆。所述纳米金属4包括但不限于金、
在本实施例中，所述孔洞3的形状为长方形或圆形。通过所述玻璃基板的纳米金属
取一块长宽高为30mm*30mm*1mm的玻璃基板1，对玻璃基板1进行酸洗、碱洗以及干
燥以保证玻璃表面清洁后，贴上一层200μm厚的掩膜板2，并对掩膜板2进行紫外激光开孔，
将掩膜板2置于磁控溅射机中溅射一层50nm厚的铂金属。此时，部分纳米金属4将
加入主要成分为氢氟酸的蚀刻液于掩膜板2中直至饱和，蚀刻液沿着掩膜板2润湿
纳米金属4，接触纳米金属4的玻璃基板表面开始被蚀刻并形成线。随着反应的进
行，纳米金属4始终位于玻璃基板上的孔洞3的最底端。玻璃基板上的孔洞3侧壁处虽然接触
蚀刻液但蚀刻速率很慢，只有接触纳米金属4的玻璃基板上的孔洞3底端蚀刻应速率的十分
之一。因此，在玻璃基板上蚀刻出来的孔洞3为上半径大、下半径小的圆锥形孔洞3。
如图6所示，作为一种优选的技术方案，所述玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法还
包括如下步骤：所述玻璃基板1上的孔洞3具有多个且当部分所述玻璃基板1上的孔洞3为凹
槽或者盲孔(即是说所述玻璃基板上至少具有若干个凹槽或者至少具有若干个盲孔)时，在
通过蚀刻液对所述玻璃基板进行蚀刻预设时间后，在部分所述孔洞3加入预设体积的超纯
水以延缓部分所述孔洞3蚀刻速率；在其与所述孔洞3蚀刻完毕后，使用超纯水对所述掩膜
板2以及玻璃基板进行清洗，最后移除所述掩膜板2并再次清洗所述玻璃基板，待所述玻璃
施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存
不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来
说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护
服务热线