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　　据上海松江官微消息，位于松江综保区的尼西半导体科技（上海）有限公司，已经建成全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线。

　　这一厚度突破让功率芯片的导通电阻和热阻大幅降低，显著提升了器件的能效与散热性能，为新能源汽车、5G基站等高功率密度应用场景提供了核心支撑，为国产器件进入高压平台、快充等市场提供了量产底座。

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　　据悉，这条产线的稳定运行，依托于公司研发人员在一系列关键设备上的开发和钻研，以及生产过程中精良的工艺管控。键合机用于晶圆与玻璃载片的临时键合，对位误差控制在120微米以内，单日产能约400片。研磨机加工精度达0.1微米，片内厚度偏差小于2微米。激光切割机切缝宽度仅11微米，相较传统刀片切割可提升约10%的芯片有效面积利用率。解键合机通过激光实现玻璃与晶圆分离，并配套去胶工艺，破片率较低且化学品使用量小。从键合、研磨、切割到测试环节，产线均配备专用设备，其中测试环节单日产出可达12万颗成品。

　　此外，该产线中的关键设备由公司工程师与国内设备厂商联合研发，通过协同创新实现了核心装备的自主可控，填补了国内相关技术空白。